Ein Feldeffekttransistor (FET) ist ein Halbleiterbauelement, das den elektrischen Feldeffekt des Eingangskreises nutzt, um den Strom im Ausgangskreis zu steuern, daher der Name.
Da er den Strom ausschließlich über die Majoritätsträger im Halbleiter leitet, wird er auch Unipolartransistor genannt. FET steht für Feldeffekttransistor. Es gibt zwei Haupttypen: Sperrschicht-Feld-effekttransistoren (JFETs) und Metall-oxid-Halbleiterfeld-effekttransistoren (MOSFETs). Da er den Strom ausschließlich über die Majoritätsträger im Halbleiter leitet, wird er auch Unipolartransistor genannt. Es handelt sich um ein spannungsgesteuertes Halbleiterbauelement. Es bietet Vorteile wie einen hohen Eingangswiderstand (10⁷–10¹⁵ Ω), geringes Rauschen, geringen Stromverbrauch, einen großen Dynamikbereich, einfache Integration, keine sekundären Durchschlagsphänomene und einen großen sicheren Betriebsbereich. Es ist zu einem starken Konkurrenten für Bipolartransistoren und Leistungstransistoren geworden.
Ein Feldeffekttransistor (FET) ist ein Halbleiterbauelement, das den elektrischen Feldeffekt des Eingangskreises nutzt, um den Strom im Ausgangskreis zu steuern, daher der Name.
Da er den Strom ausschließlich über die Majoritätsträger im Halbleiter leitet, wird er auch Unipolartransistor genannt.
FET steht für Field Effect Transistor, abgekürzt als FET.